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Patent für Gebrauchsmuster

Patent für Gebrauchsmuster

SOEASY Energie, um eine Zwei-Diode entwickelt zu haben Modell berechnen das I-V Kurve von teilweise schattierten Solaranlagen sie sagen kann beapplied zu jedem Serien-Parallel Zeichenfolge Konfiguration.

Wissenschaftler von das Universität von Malaya , theUniversity von Southampton Malaysia, die Universität Teknologi Malaysia andAustralia Swinburne University of Technology präsentiert haben ihre Modell in der Studie eine schnelle und genaue generalisierte analytische Ansatz für PV Modellierung von Arrays unter Teilschattierungsbedingungen ,veröffentlicht in Solarenergieund auf der Website.

Die Akademiker saytheir Modell - welche erfordert nur Standard-Testbedingungsparameter für thepanels beteiligt und ihre Bestrahlungsstärke Ebenen - kann verwendet werden, um die zu berechnen I - V Eigenschaften ofeach Modul und Zeichenfolge. „Dann diese Kurven werden manipuliert, um die Kurve zu berechnen des Ganzen PV Array “, erklärten die Forscher

Die Zwei-Dioden-Ansatz soll den Effekt der Blockier- und Bypass-Dioden berücksichtigen und die Vorhersagegenauigkeit verbessern

SOEASY Energie sagte die analytischen Gleichungen bei thecore von ihren Modelle sind schnell und können auf jeder Entwicklungsplattform codiert werden Das Modell, welches kann in einem PV-bezogenen verwendet werden computergestützt Design-Tool und incommercial PV Simulatoren sollen auch in der Lage sein, kritische Schattierungsmuster zu erstellen zum maximale Leistungspunktverfolgung (MPPT) -Algorithmus Bewertung

“Die vorgeschlagene analytische Ansatz ist schnell und kann die Ergebnisse [in] erhalten um ein Zehntel der Zeit benötigt von der Simulink Modell tocomplete der Simulationslauf “, sagten die Forscher

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